典型文献
沟道层带尾态密度和厚度对a-IGZO薄膜晶体管特性影响的数值仿真
文献摘要：
建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor,简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZOTFTs特性的影响规律.研究结果表明,当半导体层带尾态密度增加到1.5×1019 cm-3-eV-1及以上时,器件电学特性受深陷阱态影响劣化,亚阈值摆幅增加;沟道层薄膜厚度较小(＜40 nm)时,器件的转移特性良好,当沟道层薄膜厚度超过40 nm时,器件的电学特性劣化,关态电流增加,开关比降低,亚阈值摆幅增加.本工作数值仿真分析方法可为设计制备IGZO TFTs提供一定的理论基础和实验指导.
文献关键词：
非晶铟镓锌氧化物;薄膜晶体管;尾态密度;沟道厚度;仿真
中图分类号：
作者姓名：
李玲;孟令国;辛倩
作者机构：
山东大学微电子学院,山东济南250101
文献出处：
引用格式：
[1]李玲;孟令国;辛倩-.沟道层带尾态密度和厚度对a-IGZO薄膜晶体管特性影响的数值仿真)[J].微电子学与计算机,2022(01):95-100
A类：
尾态密度,非晶铟镓锌氧化物,IGZOTFTs,沟道厚度
B类：
薄膜晶体管,thin,film,transistor,eV,电学特性,深陷阱,劣化,亚阈值摆幅,薄膜厚度,转移特性,开关比,比降,作数,数值仿真分析,仿真分析方法,设计制备,实验指导
AB值：
0.216169
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