典型文献
分数阶记忆元件转换关系的研究
文献摘要：
记忆元件作为新型电路元件,其特殊的记忆特性引起了科研人员的广泛关注.从记忆元件的本构方程出发,推导出了记忆元件之间的转换关系,仿真实现了三种分数阶记忆元件之间的相互转换.仿真实验结果验证了分数阶记忆元件之间相互转换关系式的正确性.同时,也详细分析了分数阶阶次对记忆元件影响的规律.
文献关键词：
记忆元件;本构方程;分数阶
中图分类号：
作者姓名：
尚涛;甘朝晖;余磊;左自辉
作者机构：
武汉科技大学,湖北武汉430081;中国铁道科学研究院集团有限公司,北京100081
文献出处：
引用格式：
[1]尚涛;甘朝晖;余磊;左自辉-.分数阶记忆元件转换关系的研究)[J].微电子学与计算机,2022(01):88-94
A类：
分数阶记忆元件
B类：
转换关系,记忆特性,科研人员,本构方程,仿真实现,相互转换,关系式,阶次
AB值：
0.141089
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