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Y2O3含量对Y-Gd-Hf-O直热式压制阴极发射性能的影响
文献摘要：
为了提高Y-Gd-Hf-O压制式高温阴极的热发射性能,制备了不同Y2O3/HfO2摩尔比的SC2O3掺杂Y-Gd-Hf-O直热式压制阴极.测试结果显示,当比值为5/2时,热发射能力最好,1500℃下发射电流密度为2.79 A/cm2.阴极支取直流发射电流密度1.0 A/cm2,在1500℃的工作温度下,已经稳定工作了 1320 h,并在该温度下经过696 h的10 W连续电子轰击后,发射电流仍保持为初始值的86％,表现出良好的耐电子轰击能力.XPS结合深度刻蚀表明,发射活性层主要集中在距表面50 nm深度范围内.表层SEM、EDS分析表明,阴极经过激活、老炼,活性物质粒径变大,Y/Hf原子比低于初始值,且随着Y2O3含量的提高,阴极表层n型半导体Y2O3-x的含量相应地增加,对改善阴极表面的导电性、降低逸出功和提高阴极的热发射性能有促进作用.
文献关键词：
Y2O3掺杂;热发射;逸出功;耐电子轰击;寿命
中图分类号：
作者姓名：
王兴起;王小霞;罗积润;李云
作者机构：
中国科学院空天信息创新研究院,北京101407;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]王兴起;王小霞;罗积润;李云-.Y2O3含量对Y-Gd-Hf-O直热式压制阴极发射性能的影响)[J].稀有金属材料与工程,2022(12):4658-4665
A类：
SC2O3,耐电子轰击
B类：
Y2O3,Gd,热式,压制,阴极,制式,热发射,HfO2,摩尔比,发射能力,电流密度,支取,工作温度,初始值,XPS,刻蚀,活性层,EDS,老炼,活性物质,质粒,原子比,导电性,逸出功
AB值：
0.273389
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