典型文献
硅基ZnO纳米棒阵列异质结太阳能电池的水热合成及其光伏性能
文献摘要：
通过低温水热法,在图案化的p型硅衬底上合成氧化锌(ZnO)纳米棒阵列薄膜,制备出具有p-Si/n-ZnO纳米棒(NR)阵列结构的异质结太阳能电池(HSCs).通过直流磁控溅射技术,分别在前后面板溅射沉积ITO和Al膜接触电极层.研究ZnO籽晶层的退火温度、ZnO纳米棒阵列水热合成的时间等因素对ZnO纳米棒阵列的晶体结构、表面形貌和光学性能的影响.p-Si/n-ZnO纳米棒阵列HSCs的最佳短路电流密度和总能量转换效率分别为11.475 mA·cm-2和2.0％.相比p-Si/n-ZnO薄膜HSCs,p-Si/n-ZnO纳米棒阵列HSCs的光伏性能得到了有效提高.
文献关键词：
异质结太阳能电池;光伏性能;ZnO纳米棒阵列;转换效率
中图分类号：
作者姓名：
商世广;郭雄雄;任卫;巨小宝;刘有耀
作者机构：
西安邮电大学电子工程学院,陕西西安710121;黄河光伏科技股份有限公司,陕西西安710000
文献出处：
引用格式：
[1]商世广;郭雄雄;任卫;巨小宝;刘有耀-.硅基ZnO纳米棒阵列异质结太阳能电池的水热合成及其光伏性能)[J].稀有金属材料与工程,2022(06):1993-1998
A类：
B类：
硅基,ZnO,纳米棒阵列,异质结太阳能电池,水热合成,光伏性能,低温水热法,图案化,硅衬底,氧化锌,Si,NR,阵列结构,HSCs,直流磁控溅射技术,后面,溅射沉积,ITO,接触电,籽晶,退火温度,晶体结构,表面形貌,光学性能,短路电流密度,总能量,能量转换效率,mA
AB值：
0.26413
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