典型文献
基于40 nm CMOS工艺的高效率功率放大器设计
文献摘要：
针对硅基毫米波功率放大器存在的饱和输出功率较低、增益不足和效率不高的问题,基于TSMC 40nm CMOS工艺,设计了一款工作在28 GHz的高效率和高增益连续F类功率放大器.提出的功率放大器由驱动级和功率级组成.针对功率级设计了一款基于变压器的谐波控制网络来实现功率合成和谐波控制,有效地提高了功率放大器的饱和输出功率和功率附加效率.采用PMOS管电容抵消功率级的栅源电容,进一步提高线性度和增益.电路后仿真结果表明,设计的功率放大器在饱和输出功率为20.5 dBm处的峰值功率附加效率54％,1 dB压缩点为19 dBm,功率增益为27 dB,在24 GHz～32 GHz频率处的功率附加效率大于40％.
文献关键词：
功率放大器;高增益;谐波控制网络;高效率
中图分类号：
作者姓名：
徐雷钧;孟少伟;白雪
作者机构：
江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江212013
文献出处：
引用格式：
[1]徐雷钧;孟少伟;白雪-.基于40 nm CMOS工艺的高效率功率放大器设计)[J].微电子学,2022(06):942-947
A类：
谐波控制网络
B类：
CMOS,功率放大器,硅基,毫米波,饱和输出功率,功率较,效率不高,TSMC,40nm,GHz,高增益,变压器,功率合成,功率附加效率,PMOS,抵消,高线性度,dBm,峰值功率
AB值：
0.21577
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