典型文献
一种具有折返电流限保护的低噪声LDO
文献摘要：
针对传统片外电容型LDO噪声较差的问题,基于180nmBCD工艺,设计了一款具有折返电流限保护功能的低噪声LDO电路.基准与误差放大器间插入一阶RC低通滤波器,可滤除基准输出高频噪声,并取消传统LDO电路中的反馈电阻,从而降低噪声.通过折返电流限保护电路实现限流和折返功能.合理设置短路电流,有效避免LDO在启动或恢复过程中进入锁定状态.仿真结果表明,LDO在输入电压为4～5 V时可稳定输出2 V电压,最大带载电流为70 mA,过流限为120 mA.典型情况下的噪声功率谱在1 kHz处为12.7 nV/√Hz,RMS噪声为3.6 μV.
文献关键词：
低压差线性稳压器;低噪声;基准;折返电流限
中图分类号：
作者姓名：
宋浩;罗萍;陈嘉豪;何致远;吴乾锋
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞523808
文献出处：
引用格式：
[1]宋浩;罗萍;陈嘉豪;何致远;吴乾锋-.一种具有折返电流限保护的低噪声LDO)[J].微电子学,2022(05):746-751
A类：
折返电流限,180nmBCD
B类：
低噪声,LDO,片外电容,保护功能,误差放大器,RC,低通滤波器,滤除,高频噪声,馈电,保护电路,电路实现,限流,合理设置,短路电流,恢复过程,输入电压,mA,过流,噪声功率谱,kHz,nV,RMS,低压差线性稳压器
AB值：
0.31257
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