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高功率条件下MOSFET栅电荷特性的测量方法
文献摘要：
提出了一种高功率条件下MOSFET栅电荷特性的有效测量方法.在半桥电路的下管开启过程中,沟道出现高电流和高电压同时存在的情况,产生很高的瞬态功率.对于传统栅电荷测试方案,这不仅要求直流电源具备相当的功率输出,而且会在高功率区产生严重的自热效应,无法得到准确的栅电荷特性曲线.文章基于栅电荷测试的基本物理过程和关系,通过测量大电压-小电流与大电流-小电压下的栅电荷特性,获得了高功率条件下MOSFET的栅电荷特性.结果表明,该方法得到的栅电荷特性曲线及参数值与标准规格书的结果非常接近,具有很好的工业应用价值.
文献关键词：
MOSFET;高功率;栅电荷特性;测量
中图分类号：
作者姓名：
王燕平;荣玉;陈雷雷;李金晓;冯慧玮;闫大为
作者机构：
江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏 无锡214122
文献出处：
引用格式：
[1]王燕平;荣玉;陈雷雷;李金晓;冯慧玮;闫大为-.高功率条件下MOSFET栅电荷特性的测量方法)[J].微电子学,2022(03):478-483
A类：
栅电荷特性
B类：
高功率,MOSFET,半桥电路,下管,沟道,高电压,瞬态,测试方案,直流电源,功率输出,区产,自热效应,特性曲线,本物,物理过程,小电流,大电流,参数值,标准规,规格书,工业应用
AB值：
0.249429
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