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抗辐射加固技术发展动态研究
文献摘要：
辐射效应已成为影响集成电路(IC)在宇宙空间可靠应用的主要因素.文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述.首先,简介了抗辐射加固技术.然后,综述了抗辐射加固技术国外发展动态,介绍了美国在抗辐射加固技术方面的管理方式、技术路线、进展及典型应用.最后介绍了国内相关技术的进展,指出研究美国抗辐射加固技术的发展动态可促进国内抗辐射加固技术的发展.该综述对国内抗辐射加固技术的实际应用及推广具有一定借鉴意义.
文献关键词：
抗辐射加固;集成电路;航天电子;高性能空间飞行计算
中图分类号：
作者姓名：
毛海燕;赖凡;谢家志;张健
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]毛海燕;赖凡;谢家志;张健-.抗辐射加固技术发展动态研究)[J].微电子学,2022(02):197-205
A类：
高性能空间飞行计算
B类：
抗辐射加固,加固技术,发展动态,动态研究,辐射效应,集成电路,IC,宇宙空间,简介,典型应用,应用及推广,航天电子
AB值：
0.149531
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