典型文献
SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究
文献摘要：
利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了显著提高,器件具有更宽的振荡频带.该器件新结构在交流功率密度方面具有显著的应用潜力,交流功率密度达到1.97 MW/cm2.该二极管是基于宽带隙半导体材料设计,这为GaN、SiC材料IMPATT器件的设计与制造提供参考价值.
文献关键词：
双漂移;异质结;碳化硅;氮化镓;IMPATT二极管
中图分类号：
作者姓名：
戴扬;叶青松;党江涛;卢昭阳;张为伟;雷晓艺;张云尧;廖晨光;赵胜雷;赵武
作者机构：
西北大学信息科学与技术学院,西安710127;上海精密计量测试研究所,上海201109;西安电子科技大学微电子学院,西安710071
文献出处：
引用格式：
[1]戴扬;叶青松;党江涛;卢昭阳;张为伟;雷晓艺;张云尧;廖晨光;赵胜雷;赵武-.SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究)[J].微电子学,2022(01):125-131
A类：
IMPATT,双漂移,IMAPTT
B类：
SiC,GaN,二极管,宽带,带隙,异质结,DDR,大信号,信号输出,输出特性,数值模拟仿真,SDR,新结构,击穿电压,负电,功率密度,转换效率,频带,MW,半导体材料,材料设计,设计与制造,碳化硅,氮化镓
AB值：
0.305955
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
