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多晶硅电阻线性度补偿方法研究
文献摘要：
介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因.提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法.采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能.结果表明,经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度.
文献关键词：
多晶硅电阻;非线性补偿;自热效应;D/A转换器
中图分类号：
作者姓名：
杨洋;雷郎成;高炜祺;胡永菲;刘虹宏;付东兵
作者机构：
重庆吉芯科技有限公司,重庆401332
文献出处：
引用格式：
[1]杨洋;雷郎成;高炜祺;胡永菲;刘虹宏;付东兵-.多晶硅电阻线性度补偿方法研究)[J].微电子学,2022(01):33-37
A类：
多晶硅电阻,线性度补偿
B类：
补偿方法,非线性度,衬底,非线性补偿,转换器,自热效应
AB值：
0.118122
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