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CFETR低杂波电流驱动数值模拟研究
文献摘要：
利用射线追踪和福克-普朗克方程,研究了CFETR上驱动电流和功率沉积对低杂波注入位置和耦合波谱的依赖关系,讨论了边界非线性效应对电流驱动与功率沉积的影响,给出了低杂波平行折射率和低杂波注入位置的一个优化值.初步数值计算表明:边界非线性效应会导致驱动电流降低;不考虑低杂波非线性效应时,驱动电流的差异约为6％左右,小于考虑该效应时的差异(～25％).
文献关键词：
低杂波电流驱动;平行波数谱;极向注入位置;CFETR
中图分类号：
作者姓名：
吴陈斌;丁伯江;李妙辉;李永春;王云飞;闫广厚;Yves Peysson
作者机构：
中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所,合肥230031;中国科学技术大学,合肥230026;深圳大学,深圳518060;CEA, IRFM, Saint Paul lez Durance, France 13108
文献出处：
引用格式：
[1]吴陈斌;丁伯江;李妙辉;李永春;王云飞;闫广厚;Yves Peysson-.CFETR低杂波电流驱动数值模拟研究)[J].核聚变与等离子体物理,2022(02):250-256
A类：
低杂波电流驱动,平行波数谱,极向注入位置
B类：
CFETR,数值模拟研究,射线追踪,福克,普朗克,驱动电流,波谱,依赖关系,边界非线性,非线性效应,折射率,步数,应会
AB值：
0.260199
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