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溅射功率对掺铝氧化锌薄膜晶体管性能的影响
文献摘要：
本文采用射频磁控溅射法在P型Si衬底上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并用原子束蒸镀技术制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电镜、原子力显微镜、紫外可见分光光度计等手段对薄膜进行表征,研究铝的不同溅射功率对AZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响.结果表明,当 Al 掺杂功率 15W 时,薄膜晶体管的开关比达到 107,阈值电压 7.525 V,迁移率0.04 cm2/(V·S),平均透过率为92％.
文献关键词：
薄膜晶体管(TFT);铝锌氧(AZO);磁控溅射;溅射功率
中图分类号：
作者姓名：
李慧;杨小天;王艳杰;王超;杨帆;聂晓渊
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院,长春 130118;吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室,长春 130118;吉林师范大学,吉林 四平 136099
文献出处：
引用格式：
[1]李慧;杨小天;王艳杰;王超;杨帆;聂晓渊-.溅射功率对掺铝氧化锌薄膜晶体管性能的影响)[J].吉林建筑大学学报,2022(06):78-81
A类：
掺铝氧化锌
B类：
溅射功率,氧化锌薄膜,薄膜晶体管,射频磁控溅射,磁控溅射法,Si,衬底,AZO,原子束,蒸镀,原子力显微镜,紫外可见分光光度计,电学,光学性能,15W,开关比,比达,阈值电压,迁移率,透过率,TFT
AB值：
0.31308
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