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基于图形化修正的SiC MOSFET等效建模方法
文献摘要：
准确的SiC MOSFET SPICE模型在产品仿真、研发和检测等领域会发挥重要作用.介绍了一种SiC MOSFET建模方法,通过自动拟合与考虑物理意义的图形化修正技术相结合,完成了对CPM3-0900-0010A型号元件的SiC MOSFET SPICE模型建立和修正.建立的模型特性曲线与产品参数手册提供的实测曲线良好贴合.建模过程中产生的关键参数和产品参数手册提供的参数更加符合,提高了仿真模型的严谨性和准确性.建立的模型经过与实际测试的对比,拟合效果较好,可以为含有SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据,为更准确地评估SiC MOSFET的性能和系统特性提供支持.
文献关键词：
SiC MOSFET;建模;图形化修正;仿真;曲线拟合
中图分类号：
作者姓名：
王梓丞;赖耀康;王浩南;曹玉峰;叶雪荣;翟国富
作者机构：
哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001;北京科通电子继电器有限公司设计中心,北京 100176
文献出处：
引用格式：
[1]王梓丞;赖耀康;王浩南;曹玉峰;叶雪荣;翟国富-.基于图形化修正的SiC MOSFET等效建模方法)[J].电器与能效管理技术,2022(04):6-11
A类：
图形化修正,CPM3,0010A
B类：
SiC,MOSFET,等效建模,SPICE,物理意义,技术相结合,特性曲线,手册,贴合,严谨性,实际测试,拟合效果,复杂电路,电路仿真,仿真方法,系统特性,曲线拟合
AB值：
0.270927
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