典型文献
基于CMOS工艺的芯片ESD设计
文献摘要：
随着射频电路工作频率不断升高,ESD已经成为影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素.针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化.采用Jazz 0.18μm SiGe BiCMOS工艺对ESD防护电路进行设计和流片.经过测试得出,ESD保护电压最高可达到3000V.更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别,改进后保护电压最高可达到4500V.文中阐述了ESD防护架构的基本原则,并给出了一种采用CMOS工艺设计应用于IC卡晶片上的防护工作电路.探讨了几个关键设计参数及其对ESD保护电路特性的影响,并做出了物理上的说明.
文献关键词：
CMOS;工艺;IC卡;ESD;保护电路
中图分类号：
作者姓名：
黄璇
作者机构：
深圳市紫光同创电子有限公司,广东 深圳 518057
文献出处：
引用格式：
[1]黄璇-.基于CMOS工艺的芯片ESD设计)[J].电子元器件与信息技术,2022(12):56-59
A类：
3000V,4500V
B类：
ESD,射频电路,工作频率,电路可靠性,速射,防护电路,箝位电路,斜边,二极管,版图,性能优化,Jazz,SiGe,BiCMOS,流片,试得,更改,防护级别,工艺设计,设计应用,IC,晶片,关键设计参数,保护电路,电路特性
AB值：
0.418282
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