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RAM的现状及发展方向
文献摘要：
动态随机存取存储器(DRAM)具有低延迟、高带宽的特点,应用于电子器件中的内存芯片.本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前景,介绍了DRAM器件的结构、基本原理和关键功能,还介绍了在工艺制程微缩过程中,科研人员就短沟道效应带来的漏致势垒降低、漏电电流过大、速度饱和、热载流子效应等问题提出的技术解决方案.针对当前DRAM面临的刷新时间过短、电容器可靠性低等问题,介绍了无电容结构DRAM的研究状况.未来对于更高级别的DRAM单元设计,可能在工艺、材料、电路设计等方面做出创新.
文献关键词：
DRAM;半导体存储器;短沟道效应;晶体管
中图分类号：
作者姓名：
任智源;杨伦;柴凯中
作者机构：
湖北师范大学先进材料研究院,湖北黄石,074000
文献出处：
引用格式：
[1]任智源;杨伦;柴凯中-.RAM的现状及发展方向)[J].电子元器件与信息技术,2022(04):1-4
A类：
B类：
动态随机,随机存取存储器,DRAM,低延迟,高带宽,电子器件,制程,微缩,科研人员,短沟道效应,势垒,漏电电流,流过,热载流子,技术解决方案,刷新,电容器,无电,研究状况,高级别,单元设计,电路设计,半导体存储器,晶体管
AB值：
0.375735
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