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超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究
文献摘要：
氧化镓(Ga2 O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性.设计了一种基于α-Ga2 O3的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响.仿真结果表明,在选取HfO2作为α-Ga2 O3垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1100 V,对于现实中制备α-Ga2 O3 SBD具有非常重要的参考意义.
文献关键词：
α-Ga2O3;垂直型肖特基二极管(SBD);场板;击穿电压
中图分类号：
作者姓名：
贾晓萍;宁平凡;杨邻峰;李雄杰;牛萍娟
作者机构：
天津工业大学电气与电子工程学院,天津300387;大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津300387
文献出处：
引用格式：
[1]贾晓萍;宁平凡;杨邻峰;李雄杰;牛萍娟-.超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究)[J].电子器件,2022(04):855-859
A类：
B类：
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AB值：
0.268853
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