典型文献
C-Mg掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究
文献摘要：
基于密度泛函理论第一性原理的方法,计算了GaN、C单掺、Mg单掺和C-Mg共掺体系的电子结构和光学性质,计算结果表明:掺杂后,GaN体系的晶格发生畸变,有利于光生空穴-电子对的分离,C-Mg共掺体系结构最稳定,掺杂体系的禁带宽度均减小,其中C-Mg共掺体系的禁带宽度最小,在禁带中引入了杂质能级,说明掺杂可有效降低电子跃迁所需的能量.在光学性质方面,掺杂后,GaN在低能区介电峰和吸收峰均发生红移,且静介电常数增大;其中C-Mg共掺体系的对可见光的吸收最强,极化能力最强,因此C-Mg共掺将有望提高GaN在光催化性能和极化能力.
文献关键词：
GaN;第一性原理;电子结构;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
刘丽芝;史蕾倩;王晓东;马磊;刘纪博;庞国旺;刘晨曦;潘多桥;张丽丽;雷博程;赵旭才;黄以能
作者机构：
伊犁师范大学 物理科学与技术学院 新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁835000;南京大学 物理学院 固体微结构物理国家重点实验室,南京210093
文献出处：
引用格式：
[1]刘丽芝;史蕾倩;王晓东;马磊;刘纪博;庞国旺;刘晨曦;潘多桥;张丽丽;雷博程;赵旭才;黄以能-.C-Mg掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究)[J].原子与分子物理学报,2022(06):131-137
A类：
B类：
Mg,GaN,电子结构和光学性质,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,掺和,共掺,晶格,畸变,光生,空穴,电子对,体系结构,禁带宽度,能级,跃迁,吸收峰,红移,介电常数,可见光,光催化性能
AB值：
0.268562
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