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B36团簇组装一维纳米线的密度泛函研究
文献摘要：
采用密度泛函理论计算方法系统研究了B36团簇组装一维纳米线的几何结构、电子结构及稳定性.发现两种不同构型的B36团簇组装纳米线静态结构能量相同,且均为动力学稳定结构,但二者电子结构明显不同:分别呈现出半金属和小带隙半导体特征.对两类纳米线的H原子吸附显示:半金属纳米线转变为半导体,而半导体纳米线仍保持为半导体,但带隙明显增大.表明H原子吸附对于B36团簇组装纳米线的电子结构具有明显的调控作用.
文献关键词：
团簇;纳米线;吸附;电子结构;密度泛函理论
中图分类号：
作者姓名：
刘会霞;陈文浩;马洁;段海明
作者机构：
新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046
文献出处：
引用格式：
[1]刘会霞;陈文浩;马洁;段海明-.B36团簇组装一维纳米线的密度泛函研究)[J].原子与分子物理学报,2022(03):53-59
A类：
B36
B类：
团簇,维纳,密度泛函理论计算,理论计算方法,法系,几何结构,电子结构,同构型,静态结构,稳定结构,半金属,带隙,金属纳米线,半导体纳米线
AB值：
0.202678
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