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10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响
文献摘要：
本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×1019、2.60×1019和3.90×1019 cm-2的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×1019 cm-2后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样品的电阻率,显示随着辐照累积剂量的增加,样品的电阻率逐渐增加,电阻分布逐渐均匀.
文献关键词：
4H-SiC;高能电子辐照;电阻率
中图分类号：
作者姓名：
刘晓星;袁智明;李岳彬;李根
作者机构：
湖北大学物理与电子科学学院,湖北 武汉 430062;山西烁科晶体有限公司,山西 太原 030062
文献出处：
引用格式：
[1]刘晓星;袁智明;李岳彬;李根-.10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响)[J].首都师范大学学报（自然科学版）,2022(02):29-35,41
A类：
B类：
MeV,高能电子辐照,4H,SiC,晶体结构,电学性质,电学性能,拉曼光谱分析,辐照剂量,晶型,部会,晶格畸变,非接触式,电阻测量,测量仪,电阻率,累积剂量
AB值：
0.319602
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